CVD Furnace

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Forno con spruzzatura a ultrasuoni a 1,7 MHz fino a 1800 C per la formazione di particelle speciali - GSL-1800X-PGEP

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Forno tubolare a cristallizzazione diretta orizzontale (HDC), 1100C max. - OTF-1200X-50-DSL

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Forno tubolare 1200C con set anticorrosivo: Flange in PTFE e miscelatore di gas - OTF-1200X-80-F3LV-PTFE

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Forno tubolare a due zone a 1200°C max. Forno tubolare da 80 mm OD con evaporatore di liquidi, rilevatori di umidità e H2 e valvola di intercettazione - OTF-1200X-II-80HG-UL

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Forno a 3 zone (diametro 5", 1200C max) con flangia scorrevole, miscelatore a gas e pompa del vuoto -OTF-1200X-III-5-C3LVSF

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Forno tubolare in allumina a zona singola 1700C con miscelatore di gas a 3 canali, stazione del vuoto e vacuometro anticorrosivo - GSL-1700X-F3LV

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Forno tubolare 1700C a tre zone da 60 mm in allumina con miscelatore di gas e sistema di vuoto* - GSL-1700X-60-III-F3LV

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Forno tubolare a zona singola (diametro 80 mm, 1200 C max) con miscelatore di gas a 3 canali, pompa per vuoto e manometro per vuoto anticorrosivo - OTF-1200X-80-F3LV

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Forno tubolare 1700C con sistema di regolazione della pressione del vuoto di precisione (E-4 torr) - GSL-1700X-PRY-UL-LD

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Forno tubolare da 1200°C max per CVD assistita da plasma a microonde (MPCVD) da 2" - GSL-1200X-50-MWPE

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Forno per pirolisi a spruzzo a 1,7MHz 1200C Max. per la sintesi di nanoparticelle - OTF-1200X-PGEP

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Doppio tubo di quarzo (5"/4") e forno CVD a tre zone fino a 1200C per film di grafene - OTF-1200X-III-D5-4

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Forno tubolare rotante compatto a due zone da 5" @1100C max per CVD di polveri - OTF-1200X-S-II-R5

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Forno tubolare rotante compatto a due zone da 2" @1100C max per CVD di polveri. - OTF-1200X-S-R-II