CVD Furnace

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Forno tubolare con vuoto spinto (1E-4 torr) e stazione di flusso del gas a 3 canali per CVD - Serie OTF-1200X-HVC3

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Forno tubolare a tre zone (1200C) con stazione ad alto vuoto (1,0E-4 torr) + stazione gas MFC a 4 canali per CVD - OTF-1200X-III-HVC-LD

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Forno tubolare a tre zone (4") con pompa del vuoto (1,0E-4 torr) + 9 canali di flussimetri digitali per gas CVD - OTF-1200X-4-III-9HV

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Forno tubolare CVD a tre zone con tubo al quarzo da 8,5" e flangia scorrevole (1100C) - GSL-1100X-8,5-III-SR

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Forno tubolare a 1100°C con sublimatore di precursore solido per strati 2D CVD di TMD - OTF-1200X-4-NW-UL

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Sistemi compatti di vaporizzazione dei liquidi con controllo della temperatura e della pressione per CVD e DLCVD - LVD-F1

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Forno CVD a doppio tubo (11"/10") (1200°C max.) per la crescita del grafene su grandi superfici -GSL-1100X-III-D11

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Forno CVD rotativo a due zone da 4" 1200C con sistema di alimentazione e ricezione automatica - OTF1200XIIR4-AF

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1600°C Max. Forno MIST CVD per la crescita continua di nanotubi di carbonio - GSL-1600X-CFM

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Forno CVD MIST a 1200°C per la crescita di cristalli - OTF-1200X-Mist

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1650 Forno di ossidazione-corrosione a vapore GSL-1700X-80CVD

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Forno micro-CVD/PVD per analisi in situ con 2 zone di riscaldamento, 1100°C max. - GSL-1100-Micro

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Forno CVD MIST economico (1200°C max.) per la crescita di cristalli - OTF-1200X-S-Mist

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Forno rotativo CVD assistito da plasma a 1200°C con tubo da 2" - GSL-1200R-MWPE

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1600°C Max. Sistema MIST/LPCVD fino a 6" Wafer - MIST-1600-6

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1200C Max. Forno a ultrasuoni per pirolisi spray a 3 zone per la sintesi di nano particelle - OTF-1200X-III-PGEP

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Forno a doppio tubo scorrevole da 1200 C max con flange per tubi da 50 mm per TCVD - OTF-1200X-S-50-DFSL

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Forno a doppia zona a tubi divisi a 1200 C con sistema di alimentazione dei campioni fino a 4 crogioli per HPCVD - OTF-1200X-II-ZL

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Forno rotativo PE-HPCVD a 1200 C con evaporatore in situ, MFC a 4 canali e pompa per vuoto - OTF-1200X-II-PEC4

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Forno tubolare HPCVD a tre zone da 5" D a 1200 C con sistema di alimentazione della sorgente sequenziale e di co-deposizione fino a 3 crogioli - OTF-1200X-III-HPCVD-S3