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Film epitassiale 4H-SiC su 4H-SiC(0001) con 4 gradi di disattivazione tipo P, diametro 2 "x0,33 mm, conc. carrier (0,3-1,9) E16/cc, 2sp, spessore film: 11 um

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Film epitassiale 4H-SiC su 4H-SiC(0001) con 4 gradi di disattivazione tipo P, diametro 2 "x0,33 mm, conc. carrier (0,3-1,9) E16/cc, 2sp, spessore film: 11 um

MTI

Specifiche tecniche 

Film:
  • 4H-SiC (0001)
  • Spessore target del film: 11 um con (intervallo di accettazione dello spessore) +/- 10%.
  • Tipo conduttivo Tipo P con 
  • Concentrazione del portatore: (0,3~ 1,9)E16 /cc 
  • Finitura superficiale Entrambi i lati saranno lucidati dopo la deposizione, lucidatura Epiwafer sia anteriore che posteriore con Ra o RMS < 5 Angstrom
Substrato:
  • 4H-SiC (0001) Grado primario
  • Fuori asse: errore di taglio 4,0 +/- 0,5 gradi
  • Grado primario: con FWHM 20 secondi d'arco
  • Orientamento OF: parallelo {10-10} +/- 5 gradi
  • Lunghezza OF: 15,9 +/- 1,7 mm
  • Orientamento IF: 90 gradi cw. da OF +/- 5 gradi
  • Lunghezza IF: 8,0 +/- 1,7 mm
  • Diametro: 50,8 +/- 0,38 mm
  • Spessore: 330 +/- 25 um
  • Resistività: N/A
  • Esclusione dei bordi: 1 mm
  • Due lati lucidati con Si-face CMP con rugosità media: Ra < 0,2 RMS

 

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