Wafer SOI: 6", 2,5 "m (drogato P) + 1,0 SiO2 + 625um Si (drogato tipo P /Boron)

Strato del dispositivo

Diametro:

6" 

Tipo/Dopante:

Tipo N/P drogato

Orientamento:

<1-0-0>+/-.5 gradi

Spessore:

2,5±0,5µm

Resistività:

1-4 ohm-cm

Finitura:

Lato anteriore lucidato

Ossido termico interrato:

Spessore:

1,0um +/- 0,1 um

Manipolazione dei wafer:

Tipo/Dopante

Tipo P, drogato B

Orientamento

<1-0-0>+/-.5 gradi

Resistività:

10-20 ohm-cm

Spessore:

625 +/- 15 um

Finitura:

Come ricevuto (non lucidato)