Ga Crystal Substrate

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GaAs, metodo di crescita: VGF ,(111)B, drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,4 mm, 2sp

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GaAs, Metodo di crescita: VGF(100) drogato con Si, tipo N, diametro 3" x 0,625 mm, 2sp, concentrazione di portatori: (1,4-3,96) x 10^18 /cm^3 - GASia76D0625C2US5

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GaAs, Metodo di crescita: VGF(100) drogato Si, tipo N, diametro 4" x 0,625 mm, 2sp, concentrazione portatori: (1,47-3,78) x 10^18 /cm^3 - GASia100D06C2US5

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GaAs, crescita VGF (110) ori. Tipo N, drogato con Si, 10 x 5 x 0,3 mm, 2sp

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GaAs, cresciuto in VGF (110) ori. Tipo N, drogato con Si, 10x10x0,3 mm, 2sp

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GaAs, cresciuto in VGF (110) ori. Tipo N, drogato con Si, diametro 2" x 0,35 mm, 1sp

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GaAs, crescita VGF (110) ori. Tipo N, drogato con Si, 5 x 5 x 0,3 mm, 2sp

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GaAs, VGF cresciuto (110) oi. non drogato, 10x10x0,5mm, 1sp

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GaAs, VGF cresciuto (110) oi. non drogato, semi-isolante, 20x20x0,5mm, 1sp

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GaAs, orientamento VGF Grown (110), SI, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1sp,

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GaAs, orientamento VGF (110), SI, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 2sp - GAUe50D05C2-US

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VGF-GaAs (100) tipo N drogato Si 2" dia x 0,5 mm, 1sp,cc:(0,63-1,17) x 10^18/cm^3

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Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Si 10x10x 0,5mm, 1sp

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Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Si 5 x 5 x 0,5 mm, 1sp

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Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Zn 10x10x0,625 mm, 1sp

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Ga2O3 - Beta, substrato a cristallo singolo, <-201> ori, 10x10x0,6mm, 1SP - GaO101006C1ori201US5

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Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <010>+/-1 grado ori, 10x10x0,35mm, 2SP, grado di ricerca con "Twin"

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Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <-201> ori, 5x5x0,6mm, 1SP

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Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <100>+/-1 grado di tipo N, drogato con Sn 10x10x0,5mm, 1SP

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Substrato di cristallo singolo Ga2O3-beta, <010>+/-1 grado ori, 5 x 5 x 0,35 mm, 2SP, grado di ricerca con "Twin"