GaSb Crystals

MTI

GaSb (100), tipo N, drogato con Te, wafer da 2 "D x0,5 mm 1sp Concentrazione di portatori: (1-8)x10^17 cm^-3

MTI

Wafer GaSb (100), non drogato, 10x10x0,5 mm, 1sp - GSUa101005S1

MTI

Wafer GaSb (100), non drogato, 2 "x0,5 mm ,1sp

MTI

Wafer GaSb (100), non drogato, 2 "x0,5 mm, lucidato su due lati - GSUa50D05C2US

MTI

Wafer GaSb (100), non drogato, 5x5x0,5 mm, 1sp

MTI

Wafer GaSb (111)-B, non drogato, tipo P 2 "x0,5 mm, 2sp

MTI

GaSb, (100), drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,45 mm, 1sp, concentrazione di portatori:(1-3)x10^17 cm^-3

MTI

GaSb, (100), drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,45 mm, 1sp, concentrazione di portatori: (5,8)x10^18 cm^-3