SiC (4H,6H,3C) Crystals

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SiC - 4H (0001), diametro 1" x0,26 mm, un lato lucidato - SC4Hz25D026C1US

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SiC - 4H (0001), 10x10x0,33 mm , faccia Si, 1SP - SC4HZ1010033S1

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SiC - 4H (0001), diametro 2" x0,3 mm, un lato lucidato

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SiC - 4H (0001), diametro 2" x0,33 mm, due lati lucidati - SC4Hz50D033C2US

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SiC - 4H (0001), 5x5x0,3 mm, un lato lucidato

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SiC - 4H (0001), 5x5x0,33 mm, due lati lucidati

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SiC - 4H (0001)con 4 gradi di orientamento <11-20> /<10-10>, 10x10x0,33 mm , faccia Si, 1SP - SC4HZ1010033S1Deg4

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SiC - 4H in asse <0001>+/- 0,5 gradi Diametro 4" x0,35 mm di spessore. Semi-isolante lucidato su due lati (lato Si lucidato con EPI)-1

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SiC - 6H (0001) diametro 8 mm x spessore 0,3 mm, un lato lucidato

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SiC - 6H (0001), 1/4 "x1/4 "x0,26 mm, due lati lucidati

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SiC - 6H (0001), 10x10x0,26 mm, due lati lucidati

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Film SiC-3C di tipo N su wafer di silicio (111), film: 1,0um Spessore del substrato: 10x10x1,0 mm

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SiC - 6H (0001), 5x5x0,33 mm, 2 SP

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Film epitassiale 4H-SiC su 4H-SiC(0001) con 4 gradi di disattivazione tipo P, diametro 2 "x0,33 mm, conc. carrier (0,3-1,9) E16/cc, 2sp, spessore film: 11 um

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Film epitassiale 4H-SiC su 4H-SiC (0001) con 8 gradi di disattivazione, tipo P, diametro 2 "x0,33 mm, conc. portante 1,4 E17/cc, 2sp, spessore 4,3um-Fm4HSCon4HSC50d03C2deg8US