MTI  |  SKU: IAUa1010045S2

InAs (100), non drogato 10x10x0,45mm, 2sp

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InAs (100), non drogato 10x10x0,45mm, 2sp

MTI

    • Wafer InAs: (non drogato, di tipo N)
    • Dimensioni: 10x10x0,45 mm
    • Orientamento: <100> +/-0,50
    •  Lucidatura: lucidato su entrambi i lati
    • Metodo di crescita: LEC
    • Orientamento del piano principale: <110>
    • Orientamento del piano secondario: <-110>
    • Mobilità: (20000-22000) cm²/V·s
    • Concentrazione di portatori: < 2,1 E16 cm^-3
    • EPD: <30.000 /cm²
    • Imballaggio: in camera bianca di classe 1000 con contenitore per wafer


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