MTI  |  SKU: IAUa1010045S2

InAs (100), non drogato 10x10x0,45mm, 2sp

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InAs (100), non drogato 10x10x0,45mm, 2sp

MTI

    • Wafer di InAs: (non drogato, tipo N)
    • Dimensioni: 10x10x0,45 mm
    • Orientamento: <100> +/-0.50
    •  Lucidatura: due lati lucidati
    • Metodo di crescita: LEC
    • Orientamento piatto principale: <110>
    • Orientamento bemolle minore: <-110>
    • Mobilità: (20000-22000) cm^2/V.s
    • Concentrazione del vettore: < 2,1 E16 cm^-3
    • EPD: <30000 /cm^2
    • Imballaggio: in camera bianca di classe 1000 con contenitore per wafer


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