MTI  |  SKU: SIAsc101D05C1deg4R0001

Wafer Si (111) con 4 gradi, spento, grado Prime, diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, drogato As, resistività: 0,001-0,005 ohm-cm - SIAsc101D05C1deg4R0001

€54,05

Consegna e spedizione nell'UE

Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.

Wafer Si (111) con 4 gradi, spento, grado Prime, diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, drogato As, resistività: 0,001-0,005 ohm-cm - SIAsc101D05C1deg4R0001

MTI

Specifiche:
  • Si a cristallo singolo, (CZ) (grado primario)
  • Conduttività: Tipo N (drogato con As)
  • Resistività: 0,001~0,005 ohm-cm  (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
      si prega di ordinare il nostro     Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.) 
  • Dimensioni: 4" di diametro x 0,525 mm
  • Orientamento: 4 gradi off (111) +/- 0,5 gradi
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Rugosità superficiale: < 5A, RMS



Prodotti correlati

Altri wafer di cristallo A-Z

Pulitore al plasma

 Contenitori per wafer

Sega per cubettatura

Rivestitore di film
Torna all’inizio