Substrato di cristallo A-Z

MTI

TiO2 (001) 10x5x0,5mm, 1sp

MTI

TiO2 (001) 10x10x1.0mm, 2sp - TOb101010S2

MTI

TiO2 (001) 10x10x1.0mm, 1sp - TOb101010S1

MTI

TiO2 (001) 10x10x0,5mm, 2sp - TOb101005S2

MTI

TiO2 (001) 10x10x0,5mm, 1sp - TOb101005S1

MTI

Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 50 nm su Si (100), diametro 2" x 0,30 mm t, tipo N, non drogato, R>1000 ohm-cm

MTI

Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 2" x 0,50 mm t, tipo N, drogato con As, 1 lato lucidato, R:0,001-0,005 ohm.cm - Fm300SOonSIAsa50D05C

MTI

Wafer di ossido termico, strato di SiO2 da 30 nm su Si (100), diametro 2" x 0,50 mm t, tipo N, drogato con As, 1 lato lucidato, R:<0,005 ohm.cm

MTI

TGG Substrato a cristallo singolo: (111) 10 x 10 x. 0,5mm , 2 SP - TGGc1010S2

MTI

TGG Substrato a cristallo singolo: (111) 10 x 10 x. 0,5mm , 1 SP - TGGc1010S1

MTI

TeO2 (110) 10x10x0,5mm, 2sp - TeOe101005S2

MTI

TeO2 (110) 10x10x0,5mm, 1sp - TeOe101005S1

MTI

TbScO3 (110) 5x5x0,5mm 1sp

MTI

TbScO3 (110) 10x10x0,5mm 1sp

MTI

TbScO3 (001)10x10x0,5mm, 1sp

MTI

Sintetico WTe2, (2) mm x (2) mm x (0,1) mm

MTI

WSe2 sintetico, (3) mm x (2) mm x (0,1) mm

MTI

Sintetico WS2, (3) mm x (3) mm x (0,1) mm

MTI

MoTe2 sintetico, (3) mm x (3) mm x (0,1) mm

MTI

MoSe2 sintetico, ( 2,5-3,0) mm x ( 2,0-2,5) mm x ( 0,1) mm