Substrato di cristallo A-Z

MTI

GGG, (100), 10x10x0,5 mm, 2 lati lucidati - GGGa101005S2

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GGG (111), 10x10x0,5mm, 2sp - GGGc101005S2

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Wafer Ge(111) di tipo N non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 2SP R >50 Ohm.cm - GEUc50D05C2R50US

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Wafer Ge(100). 100 mm di diametro x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato Ga) R: 0,004-0,01ohm.cm - GEGaa100D05C2BeR0004US

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Wafer Ge(100) . 100 mm di diametro x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) R:1,4-1,7 ohm.cm

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Wafer Ge non drogato (110) Ø 3" x 0,5 mm 2 lati lucidati resistività: >50 ohm-cm

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Wafer Ge non drogato (110) Ø 3" x 0,5 mm 1 lato lucidato resistività: >50 ohm-cm

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Wafer Ge non drogato (100) Ø 3" x 0,5 mm 1 lato lucido resistività: >50 ohm-cm - GEUa76D05C1R50US

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Wafer Ge - tipo N non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP (111), R >50 ohm.cm - GEUc50D05C1R50US

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Wafer Ge, tipo N non drogato (100) diametro 3" x 0,5 mm 2 lati lucidati resistività: >50 ohm-cm

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Wafer Ge (211) di tipo N non drogato, diametro 2" x 0,45 mm, 2SP, resistività: > 45 ohm.cm

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Wafer Ge (211) tipo N non drogato, diametro 2" x 0,45 mm, 1SP, resistività: >45 ohm-cm

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Wafer Ge (111)+/-1,5 gradi, non drogato, 2 "x0,5 mm, 1SP, R>50 ohm-cm

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Wafer Ge (111) con taglio di 9,45 gradi, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 0,1-0,5ohm-cm

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Wafer Ge (111) non drogato, diametro 1" x 0,5 mm, 2SP, R:>50 ohm.cm

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Wafer Ge (111) tipo N non drogato, diametro 1" x 0,5 mm, 1SP, R:>50 ohm.cm

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Wafer Ge (111) Ø 4" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb) con resistività: 0,014-0,022 Ohm-cm

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Wafer Ge (111) Ø 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato con Sb) con resistività: 0,014-0,022 Ohm-cm

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Wafer Ge (111) diametro 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) resistività: 0,005-0,01ohm-cm

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Wafer Ge (111) diametro 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 0,1-1,0 ohm-cm - GEsbc50D05C2R01US