Substrato di cristallo A-Z

MTI

Wafer Ge (100) con piatto maggiore <110> 100 mm di diametro x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato con Sb) R:0,1-0,5 ohm.cm - GESba100D05C1BeR01US5

MTI

Wafer Ge (100) con piano (100) Ø 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato Sb) Resistività: 0,1-0,5 ohm-cm - GESba100D05C1R01US

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Wafer Ge (100) non drogato, diametro 4" x 0,5 mm, 2SP, R:>50 ohm-cm

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Wafer Ge (100) non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, resistività: >50 ohm-cm, 2SP - GEUa50D05C2R50US

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 1,0 mm, 1SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 0,02 ohm-cm - GEsba50D10c1R002US

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Ge tipo N drogato SB (111) 5x5x0,5mm 1sp, R: 0,005-0,01 ohm.cm

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Ge (111), piatto (1-10), tipo N, drogato con Sb, 10x10x0,5 mm, 1sp, R:0,005-0,01 ohm.cm

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GdScO3 (110) 5x5x0,5mm 2sp

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GdScO3 (110) 5x5x0,5mm 1sp - GSOe050505S1US

MTI

GdScO3 (110) 10x10x0,5mm 2sp

MTI

GdScO3 (110) 10x10x0,5mm 1sp

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GdScO3 (001)10x10x0,5mm 1sp - GSOb101005S1US

MTI

GaSb, (100), drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,45 mm, 1sp, concentrazione di portatori: (5,8)x10^18 cm^-3

MTI

GaSb, (100), drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,45 mm, 1sp, concentrazione di portatori:(1-3)x10^17 cm^-3

MTI

Wafer GaSb (111)-B, non drogato, tipo P 2 "x0,5 mm, 2sp

MTI

Wafer GaSb (100), non drogato, 5x5x0,5 mm, 1sp

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Wafer GaSb (100), non drogato, 2 "x0,5 mm, lucidato su due lati - GSUa50D05C2US

MTI

Wafer GaSb (100), non drogato, 2 "x0,5 mm ,1sp

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Wafer GaSb (100), non drogato, 10x10x0,5 mm, 1sp - GSUa101005S1

MTI

GaSb (100), tipo N, drogato con Te, wafer da 2 "D x0,5 mm 1sp Concentrazione di portatori: (1-8)x10^17 cm^-3