Substrato di cristallo A-Z

MTI

Wafer GaSb (111)-B, non drogato, tipo P 2 "x0,5 mm, 2sp

MTI

Wafer GaSb (100), non drogato, 5x5x0,5 mm, 1sp

MTI

Wafer GaSb (100), non drogato, 2 "x0,5 mm, lucidato su due lati - GSUa50D05C2US

MTI

Wafer GaSb (100), non drogato, 2 "x0,5 mm ,1sp

MTI

Wafer GaSb (100), non drogato, 10x10x0,5 mm, 1sp - GSUa101005S1

MTI

GaSb (100), tipo N, drogato con Te, wafer da 2 "D x0,5 mm 1sp Concentrazione di portatori: (1-8)x10^17 cm^-3

MTI

Wafer GaP, drogato con Zn, (111)B, 2 "x0,45 mm, 1sp

MTI

Wafer GaP, drogato Zn (111) 2 "x0,45 mm, 1sp

MTI

Wafer GaP, non drogato (111) 3 "x0,45 mm, 1sp

MTI

Wafer GaP, non drogato (111) 2 "x0,5 mm, 1sp - GPUc50D05C1

MTI

Wafer GaP, non drogato (111) 2 "x0,4 mm, 2sp,

MTI

Wafer GaP, non drogato (111) 10x10x0,5 mm, 2sp

MTI

Wafer GaP, non drogato (111) 10x10x0,35 mm, 2sp - GPUc1010035S2

MTI

Wafer GaP, non drogato (100) 10x10x0,5 mm, 2sp - GPUa101005S2

MTI

Wafer GaP, non drogato (100) 10x10x0,5 mm, 1sp

MTI

Wafer GaP, drogato S, orientamento (111), diametro 2" x 0,5 mm, 1sp - GPSc50D05C1

MTI

Wafer GaP, drogato S, orientamento (111), diametro 2" x 0,45 mm, 1sp

MTI

Wafer GaP, drogato S, (100), 5 x 5 x 0,5 mm, 1sp

MTI

Wafer GaP, drogato S (111) 2 "x0,5 mm, 2sp - GPSc50D05C2

MTI

Wafer GaP, tipo N, drogato S, (100), 2 gradi verso [101] +/- 0,5 gradi, 48 mm di diametro x 0,25 mm, 1sp