Substrato di cristallo A-Z

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Template GaN su zaffiro (0001), tipo N, non drogato, 2 "x 0,5mm, film GaN 1sp:30um, (grado di produzione) - FmGaNonALC50D05C1FT30um

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Template GaN su zaffiro (0001), tipo N non drogato, diametro 2" x 0,43 - 0,5 mm, 1sp, film GaN: 4 - 5 micron

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Template GaN su wafer di silicio da 2", film GaN (500 nm), tipo N, non drogato su substrati di Si (111), 2 "x 0,279 mm, 1sp

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Template GaN (200nm) su wafer di silicio, GaN (tipo N, non drogato), Si(111) tipo N drogato P, 10x10x0,279mm, 1sp R:1-10 ohm.cm

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Substrato a cristallo singolo GaN, tipo N, (10-10), 5 x10 x 0,3 mm, 1SP

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GaN - Substrato a cristallo singolo, tipo N, (0001), 10x10,5x0,35 mm, 1SP

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GaN - Substrato a cristallo singolo, tipo N, (0001), 10x10,5x0,3 mm, 2SP

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GaN - Substrato a cristallo singolo (0001), semi-isolante, 10x10x0,475 mm, 1SP, grado di produzione - GaNC10100475S1SemiBUS5

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GaN - Substrato a cristallo singolo (0001), tipo N, 10x10x0,475 mm, 1SP - GaNC10100475S1NSUS5

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GaN -Substrato a cristallo singolo (0001), tipo N, 10x10,5x0,27 mm , 1SP

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GaN - Substrato a cristallo singolo (0001), 50,8 mm x 0,25 mm, tipo N+, 1SP

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GaN - Substrato a cristallo singolo (0001), 50,8 mm x 0,25 mm, tipo N+, 2SP

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GaN, tipo N, drogato con Si (0001) 10x10,5x0,35 mm, 1sp - faccia Ga lucidata

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GaN, tipo N, drogato con Si (0001) 10x10,5x0,35 mm, 2sp

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GaN (0001) 10x10,5x0,35 mm, 2sp, semi-isolante

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GaN (0001) 10x10,5x0,35 mm, 1sp, semi-isolante

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GaAs, orientamento VGF (110), SI, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 2sp - GAUe50D05C2-US

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GaAs, orientamento VGF Grown (110), SI, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1sp,

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GaAs, VGF cresciuto (110) oi. non drogato, semi-isolante, 20x20x0,5mm, 1sp

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GaAs, VGF cresciuto (110) oi. non drogato, 10x10x0,5mm, 1sp