Substrato di cristallo A-Z

MTI

Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolato non drogato, 100 mm D x 0,6 mm, 2SP

MTI

Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati da 4" D x 0,6 mm, 2SP, grado meccanico

MTI

Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati 3 "D x0,5 mm, 1SP

MTI

Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati 2 "D x0,5 mm, 2SP, grado meccanico

MTI

Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 100 mm D x0,6 mm, 1SP

MTI

Orientamento GaAs VGF Grown(110), non drogato, semi-isolante, diametro 3" x 0,5 mm, 1sp

MTI

GaAs VGF cresciuto (orientamento 110), non drogato, semi-isolante, 100 mm di diametro x 0,5 mm, 1sp

MTI

GaAs - orientamento VGF (110), drogato Zn, tipo P, diametro 3" x 0,5 mm, 2sp - GAZne76D05C2US5

MTI

GaAs - Metodo di crescita: VGF (100) Drogato Si, tipo N, diametro 2" x 0,35 mm, 2sp

MTI

GaAs - Metodo di crescita: VGF (100) drogato Si, tipo N, diametro 2" x 0,35 mm, 1sp,cc: (1,65-3,92) x 10^18 /cm^3

MTI

GaAs, metodo di crescita: VGF (111)B , SI, non drogato, diametro 4" x 0,625 mm, 2sp

MTI

GaAs, metodo di crescita: VGF (111)B , SI, non drogato, 100mm dia x 0,625 mm, 1 sp

MTI

Orientamento GaAs (100), 2 gradi OFF verso [101] +/- 0,5 gradi, drogato Te, tipo N, diametro 2" x 0,5 mm, 1sp, grado primario - GATea50D05C1deg2US

MTI

Orientamento GaAs (100), 2 gradi OFF verso [101] +/- 0,5 gradi, drogato Te, tipo N, diametro 2" x 0,485 mm, 1sp, grado primario - GATea50D0485C1deg2US

MTI

Ga:ZnO (0001) tipo N+, drogato con Ga, 10x10x0,5 mm, faccia Zn 1sp lucidata

MTI

Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <100>+/-1 grado di tipo N, drogato con Sn 10x10x0,5mm, 1SP

MTI

Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <100>+/-1 grado tipo N, drogato con Fe 10x10x0,5mm, 1SP

MTI

Substrato di cristallo singolo Ga2O3-beta, <010>+/-1 grado ori, 5 x 5 x 0,35 mm, 2SP, grado di ricerca con "Twin"

MTI

Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <010>+/-1 grado ori, 10x10x0,35mm, 2SP, grado di ricerca con "Twin"

MTI

Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <-201> ori, 5x5x0,6mm, 1SP