Substrato di cristallo A-Z

MTI

Substrato a cristallo singolo di Cu: (100), diametro 2" x1,0 mm, 1 lato lucidato - MCCua50D10C1

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Substrato a cristallo singolo di Cu: (100), 10x10x1,0 mm, 1 lato lucidato - MCCua101010S1

MTI

Substrato a cristallo singolo di Cu: (100), 10x10x0,5 mm, 1 lato lucidato

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Substrato di cristallo singolo di Cu: (100), 10 mm di diametro x 1,0 mm, 1 lato lucidato - MCCua10D10C1

MTI

Substrato a cristallo singolo di Cu: (100)+/-1 grado, 10x10x0,5 mm, 1 lato lucidato

MTI

Substrato metallico di Cu (policristallino) 10x10x1,0 mm, 1 lato lucidato

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Substrato metallico di Cu (policristallino) 10x10x0,5 mm, 1 lato lucidato

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Substrato di cristallo singolo CsPbBr3 (100 ) 10x10x0,5 mm, 1sp

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CsI Blocco di cristallo singolo 10x10x5,0 mm, rettifica fine - CSI101050SN

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CsI (Tl) Substrato a cristallo singolo 10x10x 1,0 mm, 2sp

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CsI (Tl) Substrato a cristallo singolo 10x10x 1,0 mm, 1sp - CsITl101010S1

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Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato Ga), resistività: 0,001-0,01 ohm-cm - GEGaa50D05C2R0001US

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga), resistività: 0,0007-0,002 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 10-20 ohm-cm - GEsba50D05C2R10US

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), Resistività: 1-5 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 0,01-0,1ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga), resistività: 0,0007-0,002 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato Sb), resistività: 2,5-2,7ohm-cm - GESba50D05C1R2pt7BeUS

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Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,45 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 0,001-0,01 ohm-cm

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Wafer Ge (100) +/-0,7 Grado 2" dia x 0,45 mm, 1SP, tipo N (drogato con Sb), R:>40 ohm-cm