Substrato di cristallo A-Z

MTI

Substrato metallico di Cu (policristallino) 10x10x0,5 mm, 1 lato lucidato

MTI

Substrato di cristallo singolo CsPbBr3 (100 ) 10x10x0,5 mm, 1sp

MTI

CsI Blocco di cristallo singolo 10x10x5,0 mm, rettifica fine - CSI101050SN

MTI

CsI (Tl) Substrato a cristallo singolo 10x10x 1,0 mm, 2sp

MTI

CsI (Tl) Substrato a cristallo singolo 10x10x 1,0 mm, 1sp - CsITl101010S1

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato Ga), resistività: 0,001-0,01 ohm-cm - GEGaa50D05C2R0001US

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga), resistività: 0,0007-0,002 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 10-20 ohm-cm - GEsba50D05C2R10US

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), Resistività: 1-5 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 0,01-0,1ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga), resistività: 0,0007-0,002 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato Sb), resistività: 2,5-2,7ohm-cm - GESba50D05C1R2pt7BeUS

MTI

Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,45 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 0,001-0,01 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) +/-0,7 Grado 2" dia x 0,45 mm, 1SP, tipo N (drogato con Sb), R:>40 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) +/- 2,5 gradi non drogati, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, resistività: >50 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) +/- 1 grado, diametro 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 0,1-0,5 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (100) +/- 0,7 gradi 2" dia x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), R:>40 ohm-cm

MTI

Ge Wafe, tipo N non drogato, diametro 1" x 0,5 mm, 1SP (100) R: >50 Ohm.cm

MTI

Substrato Ge: (100)+/- 2 gradi, 10x5 x 0,5 mm, 2SP, tipo P drogato Ga, R:10-15 ohm.cm

MTI

Substrato Ge: (100)+/- 2 gradi, 10x3 x 0,5 mm, 2SP, tipo P drogato Ga, R:10-15 ohm.cm