Substrato di cristallo A-Z

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Ge Substrato a cristallo singolo, tipo N non drogato (100) +/-2,5 gradi, 10x10x0,5 mm, 1sp, R: >50 ohm.cm

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Substrato a cristallo singolo Ge, tipo N drogato con Sb (100) 5x5x 0,45 mm 1sp, R<0,009ohm.cm

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Wafer di zaffiro Al2O3, piano M (10-10) Dia da 3" x 0,5 mm, 2sp

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Ge Substrato a cristallo singolo, tipo N Non drogato (111) ori. 5x5x0,5mm 2sp, R>50 ohm.cm

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Ge substrato a cristallo singolo, tipo N non drogato (100)ori. 10x10x0,5mm 1sp,R>50 ohm.cm - GEUa101005S1R50

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Ge Substrato a cristallo singolo, tipo N non drogato (100) ori. 10x10x0,4mm 1sp, R>50 ohm.cm

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Ge substrato a cristallo singolo (100) di tipo N, non drogato, 10x10x0,5 mm, 2sp, R>50 ohm.cm

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Ge substrato a cristallo singolo (100) di tipo N, non drogato, 10x10x0,5 mm, 2sp, R>40 ohm.cm

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Ge substrato a cristallo singolo (100) di tipo N, non drogato, 1 "x1 "x0,5 mm, 2sp, R>50 ohm.cm

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GaAs, (110) ori. non drogato, 5x5x5,5-5,6mm, 2sp

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Wafer di GaAs (LEC) (110) non drogato semi-isolato 2 "D x 2,8 mm, come tagliato

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Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati da 3" D x0,5 mm, 2SP - GAUa76D05C2US5

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Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati da 2" D x0,5 mm, 2SP

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Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati da 2" D x0,5 mm, 1SP

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GaAs, metodo di crescita: VGF (111)A , SI, non drogato, diametro 4" x 0,55 mm, 2sp

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GaAs, metodo di crescita: VGF (111)A , SI, non drogato, 4" dia x 0,55 mm, 1 sp

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GaAs, metodo di crescita: VGF(100) drogato Si, tipo N, diametro 2" x 0,5mm, 2sp, concentrazione portatori: (3,8-6,2) x 10^16 /cm^3

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GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x5 x0,5 mm, 2SP

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GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x3 x0,5 mm, 2SP

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GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x10 x0,6 mm, 1SP