Substrato di cristallo A-Z

MTI

GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x10 x0,5 mm, 2SP

MTI

GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x10 x0,5 mm, 1SP

MTI

Orientamento GaAs (111)B, semi-isolante, non drogato, 5X5x 0,625 mm, 1sp

MTI

Orientamento GaAs (111)B, semi-isolante, non drogato, 10x10x 0,625 mm, 1sp,

MTI

Orientamento GaAs (111)A, semi-isolante, non drogato, 5x5x 0,5-0,55mm, 1sp,

MTI

Orientamento GaAs (111)A, semi-isolante, non drogato, 10x10x 0,55 mm, 1sp,

MTI

GaAs (100), tipo N drogato con Te, 5 x 5 x 0,35 mm, 1SP

MTI

Orientamento GaAs (100), SI (semi-isolante), non drogato 5x5x 0,5mm, 1sp,

MTI

Film di CeO2 (40 nm su un lato) su YSZ, <111>10x10x0,5 mm, 1sp - FmCeO2onYSZc101005S1FT40nm

MTI

Film di CeO2 (40 nm su un lato) su YSZ <110> 10x10x0,5 mm - FmCeO2onYSZe101005S1FT40nm

MTI

Film di CeO2 (40 nm su un lato) su YSZ <100> 10x10x0,5 mm - FmCeO2onYSZa101005S1FT40nm

MTI

Ce:YAG (drogato allo 0,2% in peso di Ce) substrato (111) 10x10x 0,2 mm, 2sp - YAGCec101002S2

MTI

Ce:YAG (drogato con lo 0,2% in peso di Ce) substrato (111) 5 x 5 x 0,5 mm, 2sp - YAGCec050505S2

MTI

Substrato Ce:YAG (drogato allo 0,2% in peso di Ce) (111) Ø 2" x 0,5 mm, 1sp

MTI

Ce:YAG (drogato allo 0,2% in peso di Ce) substrato (111) 10x10x 0,5 mm, 2sp - YAGCec101005S2

MTI

Substrato Ce:Lu2SiO5 (110 ) 10x10x0,5 mm, 1sp

MTI

Substrato Ce:Lu2SiO5 (001 ) 10x10x0,5 mm, 1sp - LSOCeb101005S1US

MTI

CdZnTe (111) tipo P, 5x5x1,0 mm 2sp

MTI

CdZnTe (111) tipo P, 5x5x0,5mm 1sp

MTI

CdZnTe (111) tipo P, 10x5x1,0 mm 2sp