Substrato di cristallo A-Z

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Ge substrato a cristallo singolo (100) di tipo N, non drogato, 10x10x0,5 mm, 2sp, R>50 ohm.cm

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Ge substrato a cristallo singolo (100) di tipo N, non drogato, 10x10x0,5 mm, 2sp, R>40 ohm.cm

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Ge substrato a cristallo singolo (100) di tipo N, non drogato, 1 "x1 "x0,5 mm, 2sp, R>50 ohm.cm

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GaAs, (110) ori. non drogato, 5x5x5,5-5,6mm, 2sp

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Wafer di GaAs (LEC) (110) non drogato semi-isolato 2 "D x 2,8 mm, come tagliato

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Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati da 3" D x0,5 mm, 2SP - GAUa76D05C2US5

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Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati da 2" D x0,5 mm, 2SP

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Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati da 2" D x0,5 mm, 1SP

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GaAs, metodo di crescita: VGF (111)A , SI, non drogato, diametro 4" x 0,55 mm, 2sp

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GaAs, metodo di crescita: VGF (111)A , SI, non drogato, 4" dia x 0,55 mm, 1 sp

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GaAs, metodo di crescita: VGF(100) drogato Si, tipo N, diametro 2" x 0,5mm, 2sp, concentrazione portatori: (3,8-6,2) x 10^16 /cm^3

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GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x5 x0,5 mm, 2SP

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GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x3 x0,5 mm, 2SP

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GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x10 x0,6 mm, 1SP

MTI

GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x10 x0,5 mm, 2SP

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GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x10 x0,5 mm, 1SP

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Orientamento GaAs (111)B, semi-isolante, non drogato, 5X5x 0,625 mm, 1sp

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Orientamento GaAs (111)B, semi-isolante, non drogato, 10x10x 0,625 mm, 1sp,

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Orientamento GaAs (111)A, semi-isolante, non drogato, 5x5x 0,5-0,55mm, 1sp,

MTI

Orientamento GaAs (111)A, semi-isolante, non drogato, 10x10x 0,55 mm, 1sp,