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Substrato Ge (111) 10x10x 0,5 mm, 2 SP, drogato con Sb, 0,005-0,01 Ohm.cm - GESbc101005S2R0005

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Substrato di Ge (111) 5 x 5 x 0,5 mm, 1 SP, tipo P, drogato con Ga, R: 0,005-0,01 ohm.cm

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Substrato Ge (111) 5x5x0,5 mm, 2 SP, drogato con Sb . 0,005-0,01 Ohm.cm

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Substrato Ge: (100) 10x10 x 0,5 mm, 1SP, tipo N drogato con Sb, R: 0,1-0,5 Ohm.cm

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Substrato Ge: (100) 10x10 x 0,5 mm, 1SP, tipo N drogato con Sb, R:10-15Ohm.cm

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Substrato Ge: (100) 10x10 x 0,5 mm, 1SP, tipo N drogato con Sb, R>40 Ohm.cm

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Substrato Ge: (100) 10x10 x 0,5 mm, 1SP, tipo P drogato Ga, R: 0,0007-0,005ohm.cm

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Substrato Ge: (100) 10x10 x 0,5 mm, 1SP, tipo P drogato Ga, R: 1-5 ohm.cm

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Substrato Ge: (100) 10x5 x 0,5 mm, 1SP, tipo P drogato Ga, R: 1-5 ohm.cm

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Substrato Ge: (100) 10x5 x 0,5 mm, 2SP, tipo N drogato con Sb, R: 0,01-0,05 Ohm.cm

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Substrato Ge: (100) 5x5 x 0,5 mm, 1SP, tipo N drogato con Sb, R: 0,1-0,5 Ohm.cm

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Substrato Ge: (100) 5x5 x 0,5 mm, 1SP, tipo N drogato con Sb, R:10-15 Ohm.cm

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Substrato Ge: (100) 5x5 x 0,5 mm, 1SP, tipo N drogato con Sb, R>40 Ohm.cm

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Substrato Ge: (100) 5x5 x 0,5 mm, 1SP, tipo P drogato Ga, R: 0,0007-0,005 ohm.cm

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Substrato Ge: (100) 5x5 x 0,5 mm, 1SP, tipo P drogato Ga, R:1-5 ohm.cm

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Substrato Ge: (100)+/- 2 gradi, 10x10 x 0,5 mm, 2SP, tipo P drogato Ga, R:10-15 ohm.cm

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Substrato Ge: (100)+/- 2 gradi, 10x3 x 0,5 mm, 2SP, tipo P drogato Ga, R:10-15 ohm.cm

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Substrato Ge: (100)+/- 2 gradi, 10x5 x 0,5 mm, 2SP, tipo P drogato Ga, R:10-15 ohm.cm

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Ge Wafe, tipo N non drogato, diametro 1" x 0,5 mm, 1SP (100) R: >50 Ohm.cm

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Wafer Ge (100) +/- 0,7 gradi 2" dia x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), R:>40 ohm-cm