mti

MTI

Wafer GaSb (100), non drogato, 5x5x0,5 mm, 1sp

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Wafer GaSb (111)-B, non drogato, tipo P 2 "x0,5 mm, 2sp

MTI

GaSb, (100), drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,45 mm, 1sp, concentrazione di portatori:(1-3)x10^17 cm^-3

MTI

GaSb, (100), drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,45 mm, 1sp, concentrazione di portatori: (5,8)x10^18 cm^-3

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Gd2O3 (99,9%, 20-80 nm) Nanopolvere ( 25 g ) - NPGd2O3

MTI

GdScO3 (001)10x10x0,5mm 1sp - GSOb101005S1US

MTI

GdScO3 (110) 10x10x0,5mm 1sp

MTI

GdScO3 (110) 10x10x0,5mm 2sp

MTI

GdScO3 (110) 5x5x0,5mm 1sp - GSOe050505S1US

MTI

GdScO3 (110) 5x5x0,5mm 2sp

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Ge (111), piatto (1-10), tipo N, drogato con Sb, 10x10x0,5 mm, 1sp, R:0,005-0,01 ohm.cm

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Ge tipo N drogato SB (111) 5x5x0,5mm 1sp, R: 0,005-0,01 ohm.cm

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Cristallo singolo di Ge per evaporazione, purezza >99,999%, 5x5x5 mm tagliato - Ge050550SN

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Ge substrato a cristallo singolo (100) di tipo N, non drogato, 1 "x1 "x0,5 mm, 2sp, R>50 ohm.cm

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Ge substrato a cristallo singolo (100) di tipo N, non drogato, 10x10x0,5 mm, 2sp, R>40 ohm.cm

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Ge substrato a cristallo singolo (100) di tipo N, non drogato, 10x10x0,5 mm, 2sp, R>50 ohm.cm

MTI

Ge Substrato a cristallo singolo, tipo N non drogato (100) ori. 10x10x0,4mm 1sp, R>50 ohm.cm

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Ge substrato a cristallo singolo, tipo N non drogato (100)ori. 10x10x0,5mm 1sp,R>50 ohm.cm - GEUa101005S1R50

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Ge Substrato a cristallo singolo, tipo N Non drogato (111) ori. 5x5x0,5mm 2sp, R>50 ohm.cm

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Substrato a cristallo singolo Ge, tipo N drogato con Sb (100) 10x10x0,45 mm 1sp, R<0,009ohm.cm