MTI

MTI

Wafer Ge (110)N, drogato Sb, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP Resistività: 0,1-1,0 ohm.cm - GESbe50D05C1R01US

MTI

Wafer Ge (110)N, drogato Sb, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP Resistività: 1-5 ohm.cm

MTI

Wafer Ge (110)N, drogato Sb, diametro 2" x 0,5 mm, 2SP Resistività: 0,1-0,5ohm.cm

MTI

Wafer Ge (110)N, drogato Sb, diametro 2" x 0,5 mm, 2SP Resistività: 1-5 ohm.cm

MTI

Wafer Ge (111) Ø 2" x 0..5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), R: 0,05-0,5 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (111) diametro 2" x 0,4 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) Resistività: 0,035-0,039ohm-cm

MTI

Wafer Ge (111) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), R: 10-20 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (111) diametro 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 0,1-1,0 ohm-cm - GEsbc50D05C2R01US

MTI

Wafer Ge (111) diametro 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) resistività: 0,005-0,01ohm-cm

MTI

Wafer Ge (111) Ø 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato con Sb) con resistività: 0,014-0,022 Ohm-cm

MTI

Wafer Ge (111) Ø 4" x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb) con resistività: 0,014-0,022 Ohm-cm

MTI

Wafer Ge (111) tipo N non drogato, diametro 1" x 0,5 mm, 1SP, R:>50 ohm.cm

MTI

Wafer Ge (111) non drogato, diametro 1" x 0,5 mm, 2SP, R:>50 ohm.cm

MTI

Wafer Ge (111) con taglio di 9,45 gradi, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 0,1-0,5ohm-cm

MTI

Wafer Ge (111)+/-1,5 gradi, non drogato, 2 "x0,5 mm, 1SP, R>50 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (211) tipo N non drogato, diametro 2" x 0,45 mm, 1SP, resistività: >45 ohm-cm

MTI

Wafer Ge (211) di tipo N non drogato, diametro 2" x 0,45 mm, 2SP, resistività: > 45 ohm.cm

MTI

Wafer Ge, tipo N non drogato (100) diametro 3" x 0,5 mm 2 lati lucidati resistività: >50 ohm-cm

MTI

Wafer Ge - tipo N non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP (111), R >50 ohm.cm - GEUc50D05C1R50US

MTI

Wafer Ge non drogato (100) Ø 3" x 0,5 mm 1 lato lucido resistività: >50 ohm-cm - GEUa76D05C1R50US