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Wafer Ge (111) con taglio di 9,45 gradi, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 0,1-0,5ohm-cm

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Wafer Ge (111)+/-1,5 gradi, non drogato, 2 "x0,5 mm, 1SP, R>50 ohm-cm

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Wafer Ge (211) tipo N non drogato, diametro 2" x 0,45 mm, 1SP, resistività: >45 ohm-cm

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Wafer Ge (211) di tipo N non drogato, diametro 2" x 0,45 mm, 2SP, resistività: > 45 ohm.cm

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Wafer Ge, tipo N non drogato (100) diametro 3" x 0,5 mm 2 lati lucidati resistività: >50 ohm-cm

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Wafer Ge - tipo N non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP (111), R >50 ohm.cm - GEUc50D05C1R50US

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Wafer Ge non drogato (100) Ø 3" x 0,5 mm 1 lato lucido resistività: >50 ohm-cm - GEUa76D05C1R50US

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Wafer Ge non drogato (110) Ø 3" x 0,5 mm 1 lato lucidato resistività: >50 ohm-cm

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Wafer Ge non drogato (110) Ø 3" x 0,5 mm 2 lati lucidati resistività: >50 ohm-cm

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Wafer Ge(100) . 100 mm di diametro x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) R:1,4-1,7 ohm.cm

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Wafer Ge(100). 100 mm di diametro x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato Ga) R: 0,004-0,01ohm.cm - GEGaa100D05C2BeR0004US

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Wafer Ge(111) di tipo N non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 2SP R >50 Ohm.cm - GEUc50D05C2R50US

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Tubo di quarzo GE214: 10" OD x 9,6" ID x 40" L per forni tubolari fai da te - QZTube-10-1020

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Riduttore e supporto per contenitore per MSK-SFM-3 MTI-SFM3-Corridore

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GGG (111), 10x10x0,5mm, 2sp - GGGc101005S2

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GGG, (100), 10x10x0,5 mm, 2 lati lucidati - GGGa101005S2

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GGG, (100), 10x10x0,5mm, 1sp - GGGa101005S1

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GGG, (100), 5x5x0,5mm, 1sp

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GGG, (100), 5x5x0,5mm, 2sp

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GGG, (110) con bordo <111> 10x10x0,5 mm, 1sp