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Nucleo di crimpatura per celle a moneta 2032 a 3 eletrodi - M110A6

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CrO3 (99,5%, 30-50 nm) Nanopolvere

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Riscaldatore a crogiolo in fibra ceramica: 8 "I.D. x12" O.D. x 10 "H con coperchio, 1100C

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Crogiolo per sistema di filatura della colata 160 mm L x 17 mm OD x 14,3 mm ID - TQ22D160

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Elettrovalvola criogenica, 24VDC, 1/4" NPT femmina, Temp. min. -195 , EQ-CGSN-Valve-LD

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Crescitore di cristalli mediante fusione a levitazione sotto vuoto - EQ-SKJ-LCZ

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Crescitore di cristalli a quattro elettrodi per fusione ad arco fino a 3000C - EQ-SKJ-ARC

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CsI (Tl) Substrato a cristallo singolo 10x10x 1,0 mm, 1sp - CsITl101010S1

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CsI (Tl) Substrato a cristallo singolo 10x10x 1,0 mm, 2sp

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CsI Blocco di cristallo singolo 10x10x5,0 mm, rettifica fine - CSI101050SN

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Substrato di cristallo singolo CsPbBr3 (100 ) 10x10x0,5 mm, 1sp

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Pellicola di Cu su wafer di Ta/Silicio, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) B-drogato, 10x5x0.525mm, R:1-20 ohm.cm, 1sp

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Film di Cu su wafer di Ta/Silicio, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) drogato B, 10x10x0,525mm, R:1-20 ohm.cm, 1sp

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Film di Cu su wafer di silicio Ta/SiO2/ 4", Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped 4 "x0.525mm, 1sp

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Film di Cu su wafer di silicio Ta/SiO2/ 4", Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped 4 "x0.525mm, 1sp

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Film di Cu su Ta/SiO2/ Wafer di silicio, Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P drogato B 10x10x0,525mm, 1sp

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Film di Cu su Ta/SiO2/ Wafer di silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped5x5x0,525mm, 1sp

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Film di Cu su wafer di Ta/SiO2/Silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P drogato B 10x10x0,525mm, 1sp

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Substrato metallico di Cu (policristallino) 10x10x0,5 mm, 1 lato lucidato

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Substrato metallico di Cu (policristallino) 10x10x1,0 mm, 1 lato lucidato