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GaAs, Metodo di crescita: VGF(100) drogato Si, tipo N, diametro 4" x 0,625 mm, 2sp, concentrazione portatori: (1,47-3,78) x 10^18 /cm^3 - GASia100D06C2US5

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GaAs, crescita VGF (110) ori. Tipo N, drogato con Si, 10 x 5 x 0,3 mm, 2sp

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GaAs, cresciuto in VGF (110) ori. Tipo N, drogato con Si, 10x10x0,3 mm, 2sp

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GaAs, cresciuto in VGF (110) ori. Tipo N, drogato con Si, diametro 2" x 0,35 mm, 1sp

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GaAs, crescita VGF (110) ori. Tipo N, drogato con Si, 5 x 5 x 0,3 mm, 2sp

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GaAs, VGF cresciuto (110) oi. non drogato, 10x10x0,5mm, 1sp

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GaAs, VGF cresciuto (110) oi. non drogato, semi-isolante, 20x20x0,5mm, 1sp

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GaAs, orientamento VGF Grown (110), SI, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1sp,

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GaAs, orientamento VGF (110), SI, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 2sp - GAUe50D05C2-US

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Polvere di elettrolita per SOFC drogata con gadolinio (CGO), confezione da 500 g - EQ-SOFC-CGO

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GaN (0001) 10x10,5x0,35 mm, 1sp, semi-isolante

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GaN (0001) 10x10,5x0,35 mm, 2sp, semi-isolante

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GaN, tipo N, drogato con Si (0001) 10x10,5x0,35 mm, 2sp

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GaN, tipo N, drogato con Si (0001) 10x10,5x0,35 mm, 1sp - faccia Ga lucidata

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GaN - Substrato a cristallo singolo (0001), 50,8 mm x 0,25 mm, tipo N+, 2SP

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GaN - Substrato a cristallo singolo (0001), 50,8 mm x 0,25 mm, tipo N+, 1SP

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GaN -Substrato a cristallo singolo (0001), tipo N, 10x10,5x0,27 mm , 1SP

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GaN - Substrato a cristallo singolo (0001), tipo N, 10x10x0,475 mm, 1SP - GaNC10100475S1NSUS5

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GaN - Substrato a cristallo singolo (0001), semi-isolante, 10x10x0,475 mm, 1SP, grado di produzione - GaNC10100475S1SemiBUS5

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GaN - Substrato a cristallo singolo, tipo N, (0001), 10x10,5x0,3 mm, 2SP