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Orientamento GaAs VGF Grown(110), non drogato, semi-isolante, diametro 3" x 0,5 mm, 1sp

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Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 100 mm D x0,6 mm, 1SP

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Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati 2 "D x0,5 mm, 2SP, grado meccanico

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Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati 3 "D x0,5 mm, 1SP

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Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati da 4" D x 0,6 mm, 2SP, grado meccanico

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Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolato non drogato, 100 mm D x 0,6 mm, 2SP

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Wafer di GaAs - Metodo di crescita: VGF (100) Tipo P drogato Zn, 3 "x0,625 mm, 1sp

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Wafer di GaAs - Metodo di crescita: VGF (100) Zn drogato di tipo P, , 2 "x0,5 mm, 1sp, (5,17-9,38) x 10^17 /cm^3

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Wafer di GaAs - Metodo di crescita: VGF (100) Zn drogato di tipo P, , 2 "x0,5 mm, 2sp, (8,62-9,38) x 10^17 /cm^3

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Wafer di GaAs - Metodo di crescita: VGF (100) Zn drogato Ptype, , 2 "x0.35 mm, 1sp, CC: (2.67-3.27) x 10^18 /cm^3

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Wafer di GaAs - Metodo di crescita: VGF (100), drogato con Zn, tipo P, 3 "x0,5 mm, 1sp

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Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati da 2" D x0,5 mm, 1SP

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Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati da 2" D x0,5 mm, 2SP

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Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati da 3" D x0,5 mm, 2SP - GAUa76D05C2US5

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Wafer di GaAs (LEC) (110) non drogato semi-isolato 2 "D x 2,8 mm, come tagliato

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GaAs, (110) ori. non drogato, 5x5x5,5-5,6mm, 2sp

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GaAs, metodo di crescita: VGF (111)B, drogato con Si, diametro 2" x 0,35 mm, 2sp - GASicB50D035C2US

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GaAs, metodo di crescita: VGF ,(111)A, drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,5 mm, 2sp - GAZncA50D05C2US5

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GaAs, metodo di crescita: VGF ,(111)B, drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,4 mm, 2sp

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GaAs, Metodo di crescita: VGF(100) drogato con Si, tipo N, diametro 3" x 0,625 mm, 2sp, concentrazione di portatori: (1,4-3,96) x 10^18 /cm^3 - GASia76D0625C2US5