mti

MTI

Substrato di silice fusa, 10x10x0,5 mm, 1 lato lucido - SOF101005s1

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Substrato in silice fusa, 10x10x0,5 mm, lucidato su 2 lati - SOF101005S2

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Substrato in silice fusa, 10x10x1,0 mm, 1 lato lucido - SOF101010s1

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Substrato di silice fusa, 10x10x1,0 mm, due lati lucidati

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Wafer in silice fusa, 4" x 0,5 mm, 1 lato lucido

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Wafer in silice fusa, 4" x 0,5 mm, 2 lati lucidati

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Wafer in silice fusa, 4" x 1,0 mm, 1 lato lucido - SOF101D10C1

MTI

FZ Wafer Si (100), diametro 2" x 0,3 mm, 1SP, tipo P, drogato B R>1000 ohm-cm

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FZ Wafer Si (111), diametro 2" x 0,275 mm, 1SP, tipo P, drogato B R>1000 ohm-cm

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Ga2O3 - Beta, substrato a cristallo singolo, <-201> ori, 10x10x0,6mm, 1SP - GaO101006C1ori201US5

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Ga2O3-- Polvere > 4N Purezza, 100 g - Polvere-Ga2O3

MTI

Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <-201> ori, 5x5x0,6mm, 1SP

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Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <010>+/-1 grado ori, 10x10x0,35mm, 2SP, grado di ricerca con "Twin"

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Substrato di cristallo singolo Ga2O3-beta, <010>+/-1 grado ori, 5 x 5 x 0,35 mm, 2SP, grado di ricerca con "Twin"

MTI

Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <100>+/-1 grado tipo N, drogato con Fe 10x10x0,5mm, 1SP

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Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <100>+/-1 grado di tipo N, drogato con Sn 10x10x0,5mm, 1SP

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Ga:ZnO (0001) tipo N+, drogato con Ga, 10x10x0,5 mm, faccia Zn 1sp lucidata

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Orientamento GaAs (100), 2 gradi OFF verso [101] +/- 0,5 gradi, drogato Te, tipo N, diametro 2" x 0,485 mm, 1sp, grado primario - GATea50D0485C1deg2US

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Orientamento GaAs (100), 2 gradi OFF verso [101] +/- 0,5 gradi, drogato Te, tipo N, diametro 2" x 0,5 mm, 1sp, grado primario - GATea50D05C1deg2US

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Orientamento GaAs (100), SI (semi-isolante), non drogato 5x5x 0,5mm, 1sp,