MTI  |  SKU: GATea50D05C1deg2US

Orientamento GaAs (100), 2 gradi OFF verso [101] +/- 0,5 gradi, drogato Te, tipo N, diametro 2" x 0,5 mm, 1sp, grado primario - GATea50D05C1deg2US

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Orientamento GaAs (100), 2 gradi OFF verso [101] +/- 0,5 gradi, drogato Te, tipo N, diametro 2" x 0,5 mm, 1sp, grado primario - GATea50D05C1deg2US

MTI

  • Wafer in cristallo singolo di GaAs, grado PRIME
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (100) 2 gradi OFF verso [101] +/- 0,5 gradi
  • Dimensioni: 2" dia x 0,5 mm
  • Lucidatura: Un lato lucidato
  • Doping: Drogato con Te
  • Tipo di conduttore: Tipo N
  • Concentrazione di portatori: (0,15-2,6) E18 /cm^3
  • Mobilità: 2700~3600 cm^2/V.S
  • Resistività: 9E-4~1,1E-2 ohm-cm
  • EPD: <8000/cm^2
  • Nota: lucidatura EPI: RMS < 5 Angstrom
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