![GaAs (100) orientation, 2 deg OFF Toward [101] +/- 0.5 deg, Te doped, N-type, 2" dia x 0.485mm, 1sp, Prime Grade - GATea50D0485C1deg2US - Thasar Store](http://www.thasar.com/cdn/shop/files/thumb_gaas_206f686e-ffbd-4814-99ab-e6ed19ae0759.jpg?v=1736897488&width=1500)
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GATea50D0485C1deg2US
Orientamento GaAs (100), 2 gradi OFF verso [101] +/- 0,5 gradi, drogato Te, tipo N, diametro 2" x 0,485 mm, 1sp, grado primario - GATea50D0485C1deg2US
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Orientamento GaAs (100), 2 gradi OFF verso [101] +/- 0,5 gradi, drogato Te, tipo N, diametro 2" x 0,485 mm, 1sp, grado primario - GATea50D0485C1deg2US
MTI
- Wafer di cristallo singolo di GaAs, grado PRIME
- Metodo di crescita: VGF
- Orientamento: (100) 2 gradi OFF verso [101] +/- 0,5 gradi
- Dimensioni: 2" dia x 0,485 mm
- Lucidatura: un lato lucidato
- Doping: Drogato con Te
- Tipo di conduttore: Tipo N
- Concentrazione di portatori: (0,1-0,6) x 10^18 /cm^3
- Mobilità: 3500-3600 cm^2/V.S
- Resistività: (2,9-10,7) E-3 ohm-cm
- EPD: <8000/cm^2
- Nota: lucidatura EPI: RMS < 5 Angstrom
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