mti

MTI

FZ Wafer Si (100), diametro 2" x 0,3 mm, 1SP, tipo P, drogato B R>1000 ohm-cm

MTI

FZ Wafer Si (111), diametro 2" x 0,275 mm, 1SP, tipo P, drogato B R>1000 ohm-cm

MTI

Ga2O3 - Beta, substrato a cristallo singolo, <-201> ori, 10x10x0,6mm, 1SP - GaO101006C1ori201US5

MTI

Ga2O3-- Polvere > 4N Purezza, 100 g - Polvere-Ga2O3

MTI

Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <-201> ori, 5x5x0,6mm, 1SP

MTI

Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <010>+/-1 grado ori, 10x10x0,35mm, 2SP, grado di ricerca con "Twin"

MTI

Substrato di cristallo singolo Ga2O3-beta, <010>+/-1 grado ori, 5 x 5 x 0,35 mm, 2SP, grado di ricerca con "Twin"

MTI

Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <100>+/-1 grado tipo N, drogato con Fe 10x10x0,5mm, 1SP

MTI

Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <100>+/-1 grado di tipo N, drogato con Sn 10x10x0,5mm, 1SP

MTI

Ga:ZnO (0001) tipo N+, drogato con Ga, 10x10x0,5 mm, faccia Zn 1sp lucidata

MTI

Orientamento GaAs (100), 2 gradi OFF verso [101] +/- 0,5 gradi, drogato Te, tipo N, diametro 2" x 0,485 mm, 1sp, grado primario - GATea50D0485C1deg2US

MTI

Orientamento GaAs (100), 2 gradi OFF verso [101] +/- 0,5 gradi, drogato Te, tipo N, diametro 2" x 0,5 mm, 1sp, grado primario - GATea50D05C1deg2US

MTI

Orientamento GaAs (100), SI (semi-isolante), non drogato 5x5x 0,5mm, 1sp,

MTI

GaAs (100), tipo N drogato con Te, 5 x 5 x 0,35 mm, 1SP

MTI

Orientamento GaAs (111)A, semi-isolante, non drogato, 10x10x 0,55 mm, 1sp,

MTI

Orientamento GaAs (111)A, semi-isolante, non drogato, 5x5x 0,5-0,55mm, 1sp,

MTI

Orientamento GaAs (111)B, semi-isolante, non drogato, 10x10x 0,625 mm, 1sp,

MTI

Orientamento GaAs (111)B, semi-isolante, non drogato, 5X5x 0,625 mm, 1sp

MTI

GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x10 x0,5 mm, 1SP

MTI

GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x10 x0,5 mm, 2SP