Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <100>+/-1 grado di tipo N, drogato con Sn 10x10x0,5mm, 1SP

Specifiche del substrato:

• Composizione chimica: ß-Ga₂O₃  
  
• Struttura: Monoclina
• Costanti reticolari: a=12,23 A, b=3,04 A, c=5,80 A, ß=103,7°
• Orientamento: <100> +/-1° (Si prega di prestare attenzione alla definizione degli assi a, b, c sopra riportata)
• Tipo/Dopante: Tipo N, drogato con Sn
• Dimensioni: 10 x 10 x 0,5 mm
• Lucidatura: lucidato su un lato
• Resistività: <0,01 ohm·cm
• Rugosità superficiale: < 15A
• Area utile: >80%