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GaO101006S1ori201US5
Ga2O3 - Beta, substrato a cristallo singolo, <-201> ori, 10x10x0,6mm, 1SP - GaO101006C1ori201US5
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Ga2O3 - Beta, substrato a cristallo singolo, <-201> ori, 10x10x0,6mm, 1SP - GaO101006C1ori201US5
MTI
- Composizione chimica: ß-Ga₂O₃ (prodotto in Cina)
- Struttura: monoclina
- Costanti reticolari: a=12,23 A, b=3,04 A, c=5,80 A, ß=103,7°
- Orientamento: <-201> +/-0,7° (Si prega di prestare attenzione alla definizione degli assi a, b, c sopra riportata)
- Tipo/Dopante: Tipo N/dopato con Sn
- Dimensioni: 10x10 x 0,6 mm
- Lucidatura: lucidato su un lato
- Rugosità superficiale: < 5A
