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GaN - Substrato a cristallo singolo, tipo N, (0001), 10x10,5x0,35 mm, 1SP

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Substrato a cristallo singolo GaN, tipo N, (10-10), 5 x10 x 0,3 mm, 1SP

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Template GaN (200nm) su wafer di silicio, GaN (tipo N, non drogato), Si(111) tipo N drogato P, 10x10x0,279mm, 1sp R:1-10 ohm.cm

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Template GaN su wafer di silicio da 2", film GaN (500 nm), tipo N, non drogato su substrati di Si (111), 2 "x 0,279 mm, 1sp

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Template GaN su zaffiro (0001), tipo N non drogato, diametro 2" x 0,43 - 0,5 mm, 1sp, film GaN: 4 - 5 micron

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Template GaN su zaffiro (0001), tipo N, non drogato, 2 "x 0,5mm, film GaN 1sp:30um, (grado di produzione) - FmGaNonALC50D05C1FT30um

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Template GaN su zaffiro (0001) 2" x 0,5 mm, 1sp, film GaN: 20um, semi-isolato - Grado di ricerca

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Template GaN su zaffiro (0001) 5 x 5 mm x 0,5 mm, 1sp .Film GaN: 5um

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Template GaN su zaffiro (0001) 5 x 5 mm x 0,5 mm, 1sp .GaN Film: 4- 5um

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Template GaN su zaffiro (11-02), 5 x 5 mm x 0,5 mm, 1sp, film GaN: 5um - FmGaNonALR050505S1FT5um

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Template GaN su zaffiro, piano C, 10x10 x0,5 mm, film: 30 micron di spessore

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Cristallo di GaP per evaporazione, purezza >99,995%, 5x5x5 mm come tagliato - GaP050550SN

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Wafer GaP non drogato (111) 2" diaX 0,45mm 2sp, R> 7 x10^7 ohm.cm, semi-isolante

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Wafer GaP, tipo N, drogato S, (100), 2 gradi verso [101] +/- 0,5 gradi, 48 mm di diametro x 0,25 mm, 1sp

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Wafer GaP, drogato S (111) 2 "x0,5 mm, 2sp - GPSc50D05C2

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Wafer GaP, drogato S, (100), 5 x 5 x 0,5 mm, 1sp

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Wafer GaP, drogato S, orientamento (111), diametro 2" x 0,45 mm, 1sp

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Wafer GaP, drogato S, orientamento (111), diametro 2" x 0,5 mm, 1sp - GPSc50D05C1

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Wafer GaP, non drogato (100) 10x10x0,5 mm, 1sp

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Wafer GaP, non drogato (100) 10x10x0,5 mm, 2sp - GPUa101005S2