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Ge (111), piatto (1-10), tipo N, drogato con Sb, 10x10x0,5 mm, 1sp, R:0,005-0,01 ohm.cm

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Ge tipo N drogato SB (111) 5x5x0,5mm 1sp, R: 0,005-0,01 ohm.cm

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Cristallo singolo di Ge per evaporazione, purezza >99,999%, 5x5x5 mm tagliato - Ge050550SN

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Ge substrato a cristallo singolo (100) di tipo N, non drogato, 1 "x1 "x0,5 mm, 2sp, R>50 ohm.cm

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Ge substrato a cristallo singolo (100) di tipo N, non drogato, 10x10x0,5 mm, 2sp, R>40 ohm.cm

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Ge substrato a cristallo singolo (100) di tipo N, non drogato, 10x10x0,5 mm, 2sp, R>50 ohm.cm

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Ge Substrato a cristallo singolo, tipo N non drogato (100) ori. 10x10x0,4mm 1sp, R>50 ohm.cm

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Ge substrato a cristallo singolo, tipo N non drogato (100)ori. 10x10x0,5mm 1sp,R>50 ohm.cm - GEUa101005S1R50

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Ge Substrato a cristallo singolo, tipo N Non drogato (111) ori. 5x5x0,5mm 2sp, R>50 ohm.cm

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Substrato a cristallo singolo Ge, tipo N drogato con Sb (100) 10x10x0,45 mm 1sp, R<0,009ohm.cm

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Substrato a cristallo singolo Ge, tipo N drogato con Sb (100) 5x5x 0,45 mm 1sp, R<0,009ohm.cm

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Ge Substrato a cristallo singolo, tipo N non drogato (100) +/-2,5 gradi, 10x10x0,5 mm, 1sp, R: >50 ohm.cm

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Substrato a cristallo singolo di Ge, tipo P, drogato con Ga (100), 10x10x0,5 mm 2sp, R:0,1-0,5 ohm.cm

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Ge substrato a cristallo singolo, non drogato (100)5x5x0,4-0,5mm, 2sp, R>50 ohm.cm

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Wafer a cristallo singolo Ge, tipo N non drogato (111) 4 "x0,5 mm, 1sp.R:50 ohm.cm

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Wafer a cristallo singolo Ge, tipo N non drogato (111) 4 "x0,5 mm, 2sp, R:40 ohm.cm

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Substrato Ge (100) 5x 5x0,4 mm, 1 SP, non drogato, tipo N. R>50 ohm.cm

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Substrato Ge (100) 5x 5x0,5 mm, 1 SP, non drogato, tipo N. R>50 ohm.cm

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Substrato Ge (100)+/-2,5 gradi 5x 5x0,5 mm, 1 SP, non drogato, tipo N, R: >50 ohm.cm

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Substrato Ge (110) 10x10x 0,4-0,5 mm, 2 SP, tipo N non drogato, R>50 ohm.cm - GEUe101005S2R50