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Wafer GaP, drogato S, orientamento (111), diametro 2" x 0,5 mm, 1sp - GPSc50D05C1

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Wafer GaP, non drogato (100) 10x10x0,5 mm, 1sp

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Wafer GaP, non drogato (100) 10x10x0,5 mm, 2sp - GPUa101005S2

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Wafer GaP, non drogato (111) 10x10x0,35 mm, 2sp - GPUc1010035S2

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Wafer GaP, non drogato (111) 10x10x0,5 mm, 2sp

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Wafer GaP, non drogato (111) 2 "x0,4 mm, 2sp,

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Wafer GaP, non drogato (111) 2 "x0,5 mm, 1sp - GPUc50D05C1

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Wafer GaP, non drogato (111) 3 "x0,45 mm, 1sp

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Wafer GaP, drogato Zn (111) 2 "x0,45 mm, 1sp

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Wafer GaP, drogato con Zn, (111)B, 2 "x0,45 mm, 1sp

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Decrimper a gas per lo smontaggio di celle a moneta della serie CR20XX, compatibile con gas Ar) - MSK-PN110-DS

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Tubo di riempimento del gas per forno a muffola KSL1200X, MTI-KSL1200X-GF

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Ingresso/uscita del gas o spurgo del gas per il forno a cassetta MTI KSL1100X

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Scatola di allarme per il controllo dell'ingresso del gas e il monitoraggio della temperatura per il forno MTI - EQ-WK-SAB

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Stazione di miscelazione gas con flussimetri a tre canali e valvole a galleggiante - GSL-3F-SS

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Forno tubolare di preriscaldamento a gas fino a 700oC @ 15L/m di portata per reattori di pirolisi - OTF-1200X-25

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GaSb (100), tipo N, drogato con Te, wafer da 2 "D x0,5 mm 1sp Concentrazione di portatori: (1-8)x10^17 cm^-3

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Wafer GaSb (100), non drogato, 10x10x0,5 mm, 1sp - GSUa101005S1

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Wafer GaSb (100), non drogato, 2 "x0,5 mm ,1sp

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Wafer GaSb (100), non drogato, 2 "x0,5 mm, lucidato su due lati - GSUa50D05C2US