MTI  |  SKU: FmCu100Ta50SO300onSiBa101005

Film di Cu su Ta/SiO2/ Wafer di silicio, Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P drogato B 10x10x0,525mm, 1sp

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Film di Cu su Ta/SiO2/ Wafer di silicio, Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P drogato B 10x10x0,525mm, 1sp

MTI

Specifiche:

  • Wafer in SiO₂/Si rivestito di Cu (dimensioni 10x10 mm)
  • Spessore del film di Cu <111> policristallino: 100 nm
  • Spessore della barriera di diffusione in Ta: 50 nm
  • Wafer SiO₂/Si da 10 × 10 × 0,5 mm (Prime Grade)
    • Tipo P, drogato con B, orientamento <100>, SSP
    • Resistività: 1-20 ohm-cm
    •  ossido termico: 300 nm
  • Rugosità superficiale: così come cresciuto
  • Confezione: una camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di classe 100
  • 10 pezzi per confezione per l’ordine minimo


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