MTI  |  SKU: FmCu100Ta50SO300onSiBa101D05

Film di Cu su wafer di silicio Ta/SiO2/ 4", Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped 4 "x0.525mm, 1sp

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Film di Cu su wafer di silicio Ta/SiO2/ 4", Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped 4 "x0.525mm, 1sp

MTI

Specifiche:

  • Wafer in SiO₂/Si rivestito in Cu (dimensioni: 4 pollici)
  • Spessore del film policristallino di rame <111>: 100 nm
  • Spessore della barriera di diffusione in Ta: 50 nm
  • Wafer SiO₂/Si da 4 pollici di diametro (Prime Grade)
    • Tipo P, drogato con B, orientamento <100>, lucidato su un solo lato
    • Resistività: 1-20 ohm-cm
    •  ossido termico: spessore 300 nm
  • Rugosità superficiale: così come cresciuto
  • Confezione: una camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di classe 100



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