MTI  |  SKU: GAUcA100D055C2US

GaAs, metodo di crescita: VGF (111)A , SI, non drogato, diametro 4" x 0,55 mm, 2sp

€458,85

Consegna e spedizione nell'UE

Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.

GaAs, metodo di crescita: VGF (111)A , SI, non drogato, diametro 4" x 0,55 mm, 2sp

MTI

  • Wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (111)A
  • Piano primario: US(0-11); Piano secondario: US(2-1-1)
  • Dimensioni: 4" dia x 0,55 mm 
  • Lucidatura: due lati lucidati
  • Doping: non drogato
  • Tipo di conduttore: Semi-isolante
  • Resistività:(1,88-1,98)E8 ohm.cm
  • Concentrazione del portatore: N/A
  • Mobilità: 4940-5060 cm^2/V.S
  • EPD: N/A
  • Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm
  • Nota: wafer pronti per l'EPI

Prodotti correlati

Altri prodotti GaAs


 		InSb

 		Altro InAs

 		 InP 


 		GaSb

 		Scatola per wafer

 Rivestitore di film

 Forni RTP
Torna all’inizio