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IASa101005S1
InAs (100), drogato S 10x10x0,5mm, 1sp - IASa101005S1
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InAs (100), drogato S 10x10x0,5mm, 1sp - IASa101005S1
MTI
- Metodo di crescita LEC
- Orientamento (100)
- Piano di orientamento N/A
- Drogaggio Drogato con S
- Tipo di conduttività Tipo N
- Concentrazione di portatori 1×10¹⁸ cm⁻³
- Mobilità 9000 cm²/V·s
- Spessore standard 0,5 mm
- Dimensioni standard 10 mm x 10 mm
- Lucidatura su un solo lato
