InAs (100), drogato S, diametro 2" x 0,5 mm, un lato lucidato, cc:(1-30)E17/ cm^3 - IASa50D05C1US

Wafer InAs da 2" (tipo N)

• Wafer InAs da 2" (drogato con S, di tipo N)
• Dimensioni: 2" di diametro x 500 micron +/-25 micron
• Orientamento: <100> ±0,5⁰
•  Lucidatura: Lucidato su un solo lato
• Imballaggio: in camera bianca di classe 1000 con contenitore per wafer

Proprietà

• Metodo di crescita: LEC
• Orientamento (100) +/- 0,5 ^o
• Orientamento piano SEMI                
• Drogaggio Drogato con S
• Tipo di conduttività Tipo N
• Concentrazione di portatori (1-30)x10^17/ cm³
• EPD <50.000 cm⁻² 
  
• Resistività:                                                     
  
• Mobilità: <10.000 cm²/vs