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IAUa050505S1US
InAs (100), non drogato 5x5x0,5mm, 1sp
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InAs (100), non drogato 5x5x0,5mm, 1sp
MTI
- Metodo di crescita LEC
- Orientamento (100) +/- 0,5º
- Piano di orientamento N/A
- Drogaggio Non drogato
- Tipo di conduttività Tipo N
- Concentrazione dei portatori <3E16 / cm³
- Mobilità >20000 cm²/V·s
- EPD <5E4 / cm²
- Spessore standard 500+/- 20 mm
- Dimensioni standard 5 mm x 5 mm
- Lucidatura lucidata su un lato
