InAs (100), non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, due lati lucidati

Wafer InAs da 2" (tipo N)

• Wafer InAs da 2": (non drogato, tipo N)
• Dimensioni: 2" di diametro x 500 micron +/-25 micron
• Orientamento: <100> ±0,5⁰

•  Lucidatura: lucidato su entrambi i lati
• Metodo di crescita: LEC
• Orientamento del piano principale: <1-10>
• Orientamento del piano secondario: <0-11>
• Mobilità: (18000-20000) cm^2/V.s
• Concentrazione di portatori: < 3 E16 cm^-3
• EPD: <5000 /cm²
• Imballaggio: in camera bianca di classe 1000 con contenitore per wafer