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IAUcA0505045S1
InAs (111)A, non drogato, tipo N, 5 mm x 5 mm x 0,45 mm 1sp
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InAs (111)A, non drogato, tipo N, 5 mm x 5 mm x 0,45 mm 1sp
MTI
- Metodo di crescita LEC
- Orientamento (111)A ± 0,5 gradi
- Orientamento piatto SEMI
- Doping Non drogato
- Tipo di conducibilità Tipo N
- Concentrazione di portatori <2E16 / cm-3
- Mobilità >23400 cm2/V.S
- EPD <10000 / cm 2
- Resistività: 1,3x10^-2 ohm.cm
- Spessore standard 450 ± 25 mm
- Dimensioni: 5 mm x 5 mm
- Lucidatura su un lato
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