InAs (111)A, non drogato, tipo N, 5 mm x 5 mm x 0,45 mm 1sp

• •          Metodo di crescita LEC
  •          Orientamento (111)A ± 0,5 gradi
  •          Piano di orientamento SEMI       
  •          Drogaggio Non drogato
  •          Tipo di conduttività Tipo N
  •          Concentrazione di portatori <2E16 / cm^-3
  •          Mobilità >23400 cm²/V·s  
  •          EPD <10.000 / cm^²
  •          Resistività: 1,3×10⁻² ohm·cm
  •          Spessore standard 450 ± 25 mm
  •          Dimensioni: 5 mm x 5 mm
  •            Lucidatura: lucidato su un lato

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