MTI  |  SKU: IAS411ellipes

InAs (411), wafer a forma di ellisse drogato con S (area >30mm dia) 1sp - IAS411ellipes

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InAs (411), wafer a forma di ellisse drogato con S (area >30mm dia) 1sp - IAS411ellipes

MTI

  • Metodo di crescita LEC
  • Orientamento (411) ± 0,5 Gr
  • Piano di orientamento N/A              
  •  Drogaggio Drogato con S
  • Tipo di conduttività Tipo N
  • Concentrazione dei portatori <7E17 ~ 1E18 / cm³
  •  Mobilità >10.000 cm²/V·s  
  • EPD <2E4 / cm²
  • Spessore standard 500 ± 20 mm
  • Dimensioni forma ellittica, (area > 30 mm di diametro)
  • Lucidatura su un solo lato



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