MTI  |  SKU: IPFecB50D035C1US

InP-VGF cresciuto (111)B drogato con Fe, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp, semi-isolante

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InP-VGF cresciuto (111)B drogato con Fe, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp, semi-isolante

MTI

  • Wafer monocristallino di InP
  • Orientamento: (111)B
  • Dimensioni: 2" di diametro x 0,35 mm
  • Drogaggio: drogato con Fe
  • Tipo di conducibilità: semisolante
  • Resistività: (1,42-1,56)E7 ohm·cm
  • Mobilità: 1790–1980 cm²/v·s
  • Lucidatura: lucidato su un lato
  • Ra (rugosità media): < 0,4 nm
  • Superficie pronta per EPI e imballaggio

 

 

 

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