InSb (100) 10x10x 0,5 mm, non drogato, tipo N, 2 lati lucidati

  Substrato InSb (di tipo N, non drogato) 2sp

•  Dimensioni: 10 x 10 x 0,5 mm
• Orientamento <100> +/-0,5^° 
•  Lucidatura: lucidatura epi su entrambi i lati 
• Confezionamento: Sigillato in atmosfera di azoto in un contenitore monowafers in camera bianca di classe 1000

Proprietà

• Metodo di crescita LEC
• Orientamento (100) +/- 0,5^°                                     
• Drogaggio Non drogato
• Tipo di conduttività Tipo N
• Concentrazione di portatori (2-7)E14 a 77 K
• Mobilità 4E4 cm²/Vs
• EPD <300 / cm^²