InSb (100) diametro 2" x 0,5 mm, tipo N Non drogato, 2 lati lucidati

Wafer InSb da 2" (tipo N, non drogato)

• Dimensioni: diametro 2" x spessore 0,5 (+/- 0,025) mm
  
• Orientamento: <100> ±0,5^°
• Tipo/dopante: tipo N/non drogato
• Lucidatura della superficie: Faccia In(A) lucidata chimicamente, faccia finale

                                       faccia Sb(B) lucidata con Linde A 0,3 µm (finitura a specchio)
      

• Mobilità: > 3,9E4 /cm²/V.S
• EPD: < 200
• Concentrazione di portatori: (2–7)E14 cm⁻³ a 77 K
• Metodo di crescita: LEC
• Imballaggio: sigillato in azoto in un contenitore per singolo wafer in camera bianca di classe 100