LaAlO3, (100) Ori. wafer da 0,5" x1,0 mm 1 SP

    Il monocristallo di LaAlO₃ presenta una buona compatibilità reticolare con molti materiali a struttura perovskitica. È un eccellente substrato per la crescita epitassiale di superconduttori ad alta temperatura critica (Tc) e di film sottili magnetici e ferroelettrici. Le proprietà dielettriche del cristallo di LaAlO3 sono particolarmente adatte per applicazioni a microonde a bassa perdita e di risonanza dielettrica.

Specifiche del substrato:

• Dimensioni del wafer: 0,5" di diametro ± 0,5 mm x 1,0 di spessore ± 0,05 mm
• Orientamento del wafer: (100) ±0,5 gradi 
• Orientamento del bordo: <001> ±1°  
• Lucidatura: Lucidatura CMP senza danni sub-superficiali
• Finitura superficiale (RMS o Ra): < 10A
• Confezione: In camera bianca di classe inferiore a 1000, in un sacchetto di plastica di grado 100 all’interno di un contenitore per wafer.
• Costante di reticolo: a = 3,792 Å (pseudocubico)
• Avvertenza: Il cristallo di LaAlO₃ presenta un gemello visibile sulla superficie levigata, il quale è di natura normale; si veda l’immagine sottostante
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Proprietà fisiche tipiche

Struttura cristallina

Pseudocubica a=3,792Š

Metodo di crescita

Czochralski

Densità

6,52 g/cm³

Punto di fusione

2080 ^°C        

Espansione termica

 10 (×10⁻^⁶/^°C)

Costante dielettrica

~ 25 

Tangente di perdita a 10 GHz

~3×10⁻⁴ a 300 K, ~0,6×10⁻^⁴ a 77 K

Colore e aspetto

Da trasparente a marrone a seconda delle condizioni di ricottura. Gemellature visibili sul substrato lucidato

Stabilità chimica

Insolubile negli acidi minerali a 25 ^°C e solubile in H₃PO₃ a > 150 ^°C