LaAlO3, (100) orn. substrato 20x20 x 0,5 mm, 2 lati lucidati a specchio

Il monocristallo di LaAlO₃ presenta una buona compatibilità reticolare con molti materiali a struttura perovskitica. È un eccellente substrato per la crescita epitassiale di superconduttori ad alta temperatura critica (Tc) e di film sottili magnetici e ferroelettrici. Le proprietà dielettriche del cristallo di LaAlO₃ sono particolarmente adatte per applicazioni a microonde a bassa perdita e di risonanza dielettrica.

 

Specifiche

Dimensioni del wafer: 20x20 x 0,5 mm di spessore +/-0,05 mm,

Orientamento del wafer: (100) ±0,5 gradi 

Lucidatura: Entrambi i lati lucidati con CMP, senza danni sub-superficiali. Si prega di scegliere se lucidare un lato o entrambi i lati dall’“opzione”

Finitura superficiale (RMS o Ra): < 10A

Confezionato in camera bianca di classe inferiore a 1000 (pronto per EPI) e in un sacchetto di plastica di grado 100 all’interno di un contenitore per wafer.

Costante reticolare: a = 3,792 Å pseudocubico
Avvertenza: il cristallo di LaAlO₃ presenta un gemello visibile sulla superficie levigata, di natura normale; si veda l’immagine sottostante

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	Proprietà fisiche tipiche
Struttura cristallina	Pseudocubica a=3,792 Å
Metodo di crescita	Czochralski
Densità	6,52 g/cm³
Punto di fusione	2080 °C
Espansione termica	10 (×10⁻⁶/°C)
Costante dielettrica	~ 25
Tangente di perdita a 10 GHz	~3×10⁻⁴ a 300 K, ~0,6×10⁻⁴ a 77 K
Colore e aspetto	Da beige a marrone a seconda delle condizioni di ricottura Gemellature visibili sul substrato lucidato.
Stabilità chimica	Insolubile negli acidi minerali a 25 °C e solubile in H₃PO₃ a > 150 °C