MTI  |  SKU: BTb101001US

Substrato di cristallo Bi2Te3 altamente orientato (0001) di forma irregolare (circa 10x10x0,1 mm) come Cleaved

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Substrato di cristallo Bi2Te3 altamente orientato (0001) di forma irregolare (circa 10x10x0,1 mm) come Cleaved

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Il substrato cristallino di tellururo di bismuto è un cristallo altamente orientato (non monocristallino), ovvero un semiconduttore a strati con banda proibita stretta e struttura esagonale.  La struttura delle bande di valenza e di conduzione può essere descritta come un modello a molti ellissoidi, con 6 ellissoidi a energia costante centrati sui piani di riflessione. Tra i materiali termoelettrici generici, il fattore termoelettrico è attualmente il più elevato tra i blocchi in fase pura; la dissociazione meccanica consente di ottenere materiale isolante topologico di alta qualità.
 
 
Specifiche:
  • Struttura: Esagonale, gruppo 166R-3M
  • Metodo di crescita: Bridgman verticale ad alta pressione
  • Costanti reticolari: a=4,38 A c=30,5 A
  • Orientamento del substrato: struttura a strati altamente orientata lungo <0001>
  • Superficie: come da sfaldatura
  • Purezza: 99,999%, rapporto atomico
  • Punto di fusione: 585 °C
  • Resistività: 0,1-5 mΩ·cm
  • Mobilità: 3000 cm²/V·s 
  • Dimensioni generali: forma irregolare (~ 10 mm x 10 mm x 0,1 mm)
  • Confezione: confezionato in sacchetto di plastica sottovuoto



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