Templato di AlN non drogato su silicio ( Si <111> Tipo P ) 5mmx5mm x 200 nm - FmAlNonSiBc050505S1FT200nm

Il modello in AlN su silicio viene realizzato con il metodo PVDNC. Il modello in AlN su silicio rappresenta una soluzione economicamente vantaggiosa in sostituzione del substrato monocristallino in AlN.

Specifiche

• Area utile: 90%
• Spessore nominale dell’AlN: 200 nm ±10%, rivestimento su un solo lato, film di AlN non drogato
• Superficie frontale: <1 nm RMS, così come cresciuto
• Superficie posteriore: silicio tal quale
• Orientamento dell’AlN: piano C (00.1)
• Densità dei difetti macroscopici: <1/cm²
• Base del wafer: silicio [111] di tipo P, 5x5 x 0,5 mm, lucidato su un lato